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FDP8030LS62Z

更新时间： 2024-09-25 10:02:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 358K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FDP8030LS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP8030LS62Z 数据手册

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November 1999  
FDP8030L/FDB8030L  
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic level MOSFET has been  
designed specifically to improve the overall efficiency of  
DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.  
• 80 A, 30 V.  
RDS(ON) = 0.0035 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.0045 Ω @ VGS = 4.5 V  
• Critical DC electrical parameters specified at  
These MOSFETS feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETS with comparable  
RDS(on) specifications.  
elevated temperature  
• Rugged internal source-drain diode can eliminate the  
need for an external Zener diode transient  
suppressor  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• 175°C maximum junction temperature rating  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
80  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
300  
PD  
187  
W
W°C  
°C  
Total Power Dissipation @# TC = 25°C  
1.25  
Derate above 25°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-65 to +175  
275  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.8  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
62.5  
RθJA  
FDP8030L Rev C(W)  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP80N06 FAIRCHILD

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FDP8440 ONSEMI

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FDP8441 ONSEMI

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