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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP7N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II MOSFET |
|
| FDP7N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25 Ω |
|
| FD-P80 | ETC |
获取价格 |
Digital Fiber Sensor FX-100 SERIES |
|
| FDP8030L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDP8030L | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET |
|
| FDP8030L_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDP8030LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDP80N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| FDP80N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，80 A，10 mΩ，TO-22 |
|
| FD-P81X | ETC |
获取价格 |
Digital Fiber Sensor FX-100 SERIES |
|
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