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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| 其他特性： | AVALANCHE ENERGY RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1164 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 131 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDP75N08A | FAIRCHILD |
类似代替  |
75V N-Channel MOSFET |
|
| IRF2807ZPBF | INFINEON |
功能相似 |
AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A) |
|
| HUF75545S3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP75N08_0606 | FAIRCHILD |
获取价格 |
75V N-Channel MOSFET |
|
| FDP75N08A | FAIRCHILD |
获取价格 |
75V N-Channel MOSFET |
|
| FDP75N08A | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，75 V，75 A，11 mΩ，TO-22 |
|
| FDP79N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FDP79N15_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FDP7N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FDP7N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，7 A，900 mΩ，TO-2 |
|
| FDP7N50_0704 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FDP7N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 6A, 1.15OHM |
|
| FDP7N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
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