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FDP75N08

更新时间： 2024-01-20 09:05:13
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 674K
描述
75V N-Channel MOSFET

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FDP75N08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.44
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：1738 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：137 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDP75N08 数据手册

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June 2006  
TM  
UniFET  
FDP75N08  
75V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
75A, 75V, RDS(on) = 0.011Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 150 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballast based on half bridge  
topology.  
D
G
TO-220  
FDP Series  
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP75N08  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
75  
75  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
47.7  
300  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 20  
1164  
75  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
13.1  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
131  
- Derate above 25°C  
1
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP75N08  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.95  
0.5  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FDP75N08 Rev. A  
12345678

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FDP75N08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP75N08A FAIRCHILD

类似代替

 75V N-Channel MOSFET
IRF2807ZPBF INFINEON

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功能相似

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与FDP75N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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