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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 720 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0031 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 254 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDP8442_F085 | FAIRCHILD |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP8442_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.1m |
|
| FDP8442_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDP8442-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.3 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench® |
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| FDP8443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDP8443_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDP8443-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.7 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench® |
|
| FDP8447L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
|
| FDP8447L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，50A，8.7mΩ |
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| FDP86363_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP86363_F085_15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
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