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FDP8874

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 259K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDP8874 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.94
雪崩能效等级（Eas）：105 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP8874 数据手册

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November 2004  
FDP8874  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
®
30V, 114A, 5.3mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 5.3mΩ, V = 10V, I = 40A  
GS D  
DS(ON)  
r
= 6.6mΩ, V = 4.5V, I = 40A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
TO-220AB  
S
FDP SERIES  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
114  
102  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 62 C/W)  
θJA  
16  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
105  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
mJ  
AS  
Power dissipation  
110  
W
D
o
o
Derate above 25 C  
0.73  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 ( Note 3)  
1.36  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDP8874  
Device  
FDP8874  
Package  
TO-220AB  
TO-220AB  
Reel Size  
Tube  
Tape Width  
Quantity  
N/A  
N/A  
50 units  
50 units  
FDP8874  
FDP8874_NL (Note 4)  
Tube  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP8874 Rev. A2  
1234567...10

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FDP8874 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP8874 ONSEMI

类似代替

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