5秒后页面跳转
FDP8GGY PDF预览

FDP8GGY

更新时间: 2024-09-26 20:40:39
品牌 Logo 应用领域
ADAM-TECH 连接器
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
DIP Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator, Plug

FDP8GGY 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8536.69.40.51
风险等级:5.76其他特性:STANDARD: MIL-C-83503/6, SOLDERED DIRECTLY TO THE BOARD, LOW PROFILE
主体宽度:0.421 inch主体深度:0.238 inch
主体长度:0.565 inch主体/外壳类型:PLUG
连接器类型:DIP CONNECTOR接触器设计:PREASSEM CONN
联系完成终止:GOLD触点性别:MALE
触点材料:PHOSPHOR BRONZE触点模式:RECTANGULAR
触点电阻:20 m Ω触点样式:RND PIN-SKT
DIN 符合性:NO介电耐压:1000VAC V
滤波功能:NOIEC 符合性:NO
绝缘电阻:5000000000 Ω绝缘体颜色:GRAY
绝缘体材料:GLASS FILLED POLYBUTYLENE TEREPHTHALATEMIL 符合性:YES
插接触点节距:0.1 inch匹配触点行间距:0.3 inch
混合触点:NO安装类型:CABLE
装载的行数:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C选件:GENERAL PURPOSE
额定电流(信号):1 A参考标准:UL, CSA
可靠性:MIL-C-83503/6子类别:Headers and Edge Type Connectors
端接类型:IDC触点总数:8
UL 易燃性代码:94V-0最大线径:28 AWG
最小线径:28 AWGBase Number Matches:1

FDP8GGY 数据手册

 浏览型号FDP8GGY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP8GGY的Datasheet PDF文件第3页 

与FDP8GGY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP8N50NZ FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP8N50NZ ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,500 V,8 A,850 mΩ,T
FDP8N50NZF FAIRCHILD

获取价格

N-Channel MOSFET 500V, 7A, 1Ω
FDP8N50NZU ONSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP8N60ZU FAIRCHILD

获取价格

N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 6.5A, 1.35Ω
FDP8T ADAM-TECH

获取价格

Board Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulator
FDP8T30 ADAM-TECH

获取价格

DIP Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDP8TGY ADAM-TECH

获取价格

DIP Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator,
FDPC1012S ONSEMI

获取价格

PowerTrench Power Clip 25V Asymetric Dual N-Channel MOSFET
FDPC1012S-P ONSEMI

获取价格

PowerTrench Power Clip 25V Asymetric Dual N-Channel MOSFET