5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER CLIP 33, 8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| Samacsys Description： | ON SEMICONDUCTOR - FDPC8011S - MOSFET, N-CH, DUAL, 25V/12V, 8PQFN | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-240BA |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPC8012S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDPC8012S | ONSEMI |
获取价格 |
25V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET |
|
| FDPC8013S | FAIRCHILD |
获取价格 |
PowerTrench® Power Clip 30 V Asymmetric Dual |
|
| FDPC8013S | ONSEMI |
获取价格 |
30 V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET |
|
| FDPC8014AS | ONSEMI |
获取价格 |
25V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET |
|
| FDPC8014S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.0038ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDPC8014S | ONSEMI |
获取价格 |
25V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET |
|
| FDPC8016S | ONSEMI |
获取价格 |
25V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET |
|
| FDPCEE031800G000B | VISHAY |
获取价格 |
Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval |
|
| FDPCEE031800G000W | VISHAY |
获取价格 |
Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
