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FDPC8012S PDF预览

FDPC8012S

更新时间： 2024-09-26 20:56:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 543K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER CLIP 33, 8 PIN

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FDPC8012S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWER CLIP 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：88 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPC8012S 数据手册

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December 2012  
FDPC8012S  
PowerTrench® Power Clip  
25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a  
dual package. The switch node has been internally connected to  
enable easy placement and routing of synchronous buck  
converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous  
SyncFETTM (Q2) have been designed to provide optimal power  
efficiency.  
„ Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 12 A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 23 A  
„ Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in  
lower switching losses  
Applications  
„ MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit  
inductance and reduced switch node ringing  
„ Computing  
„ RoHS Compliant  
„ Communications  
„ General Purpose Point of Load  
Pin 1  
V+  
LSG  
GND  
GND  
Pin 1  
V+  
(HSD  
PAD9  
V+(HSD)  
V+  
V+  
HSG  
SW  
HSG  
SW  
GND  
(LSS  
LSG  
GND  
GND  
LSG  
GND  
GND  
HSG  
SW  
SW  
SW  
SW  
SW  
SW  
SW  
SW  
PAD10  
GND(LSS)  
Bottom  
Top  
3.3 mm x 3.3 mm  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
Q2  
25  
12  
88  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
12  
V
V
Drain Current  
-Continuous  
TC = 25 °C  
35  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
TA = 25 °C  
(Note 4)  
131a  
261b  
A
40  
120  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
50  
181  
mJ  
W
Power Dissipation for Single Operation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
1.61a  
0.81c  
2.01b  
0.91d  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
771a  
1511c  
5.0  
631b  
1351d  
3.5  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
Quantity  
01OD/03OD  
FDPC8012S  
Power Clip 33  
12 mm  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDPC8012S Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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