是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.36 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 673 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0029 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | NOT APPLICABLE | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 556 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDP8870 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mз |
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FDP8870 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,156A,4.1mΩ |
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FDP8870_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDP8870_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 156A, 4.1 |
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FDP8870_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDP8870-F085 | ONSEMI |
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30 V、156 A、3.4 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench® |
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FDP8874 | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
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FDP8874 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDP8874_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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FDP8874_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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