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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP8870
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FDP8870

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
10页 257K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mз

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FDP8870 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167190Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO220 ISSUE K ABSamacsys Released Date：2018-04-10 17:35:55
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0046 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP8870 数据手册

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November 2004  
FDP8870  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
®
30V, 156A, 4.1mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 4.1mΩ, V = 10V, I = 35A  
GS D  
DS(ON)  
r
= 4.6mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
TO-220AB  
S
FDP SERIES  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
156  
147  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 62 C/W)  
θJA  
19  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
300  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
mJ  
AS  
Power dissipation  
160  
W
D
o
o
Derate above 25 C  
1.07  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 ( Note 3)  
0.94  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
o
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDP8870  
Device  
FDP8870  
Package  
TO-220AB  
TO-220AB  
Reel Size  
Tube  
Tape Width  
Quantity  
N/A  
N/A  
50 units  
50 units  
FDP8870  
FDP8870_NL (Note 4)  
Tube  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP8870 Rev. A2  
1234567...10

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FDP8870 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDP8870_F085 FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 N-CHANNEL 30V - 0.0034 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET

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