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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.32 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 720 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0031 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 254 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDP8442 | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 80A, 3.1mヘ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP8442-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.3 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench® |
|
| FDP8443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDP8443_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDP8443-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V、80 A、2.7 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench® |
|
| FDP8447L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
|
| FDP8447L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，50A，8.7mΩ |
|
| FDP86363_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP86363_F085_15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDP86363-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench®，80V，110A，2.8mΩ |
|
| FDP8860 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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