是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.49 |
雪崩能效等级(Eas): | 275 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.25 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 147 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 26 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FD-P80 | ETC |
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Digital Fiber Sensor FX-100 SERIES |
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FDP8030L | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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FDP8030L | ONSEMI |
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30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET |
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FDP8030L_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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FDP8030LS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDP80N06 | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET |
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FDP80N06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,80 A,10 mΩ,TO-22 |
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FD-P81X | ETC |
获取价格 |
Digital Fiber Sensor FX-100 SERIES |
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FDP8440 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 277A, 2.2m |
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FDP8440 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,40V,277A,2.2mΩ |
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