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FDP7030LJ69Z

更新时间： 2024-11-21 21:19:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	471K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FDP7030LJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDP7030LJ69Z 数据手册

April 1998

FDP7030L / FDB7030L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage

applications such as DC/DC converters and high efficiency

switching circuits where fast switching, low in-line power

loss, and resistance to transients are needed.

100 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.007 W @ V_GS=10 V

R_DS(ON)= 0.010 W @ V_GS=5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_C= 25°C unless otherwise noted

FDP7030L

FDB7030L

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

±20

(Note 1)

100

- Pulsed

300

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

125

W/°C

°C

0.83

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

275

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

1.2

°C/W

R_q_JC

62.5

FDP7030L Rev.D1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP7030LS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7042L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7042LJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7045	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7045L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7045L_04	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7045LJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP7080	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7080J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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