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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP7030BLS
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FDP7030BLS

更新时间： 2024-01-16 07:14:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 82K
描述
30V N-Channel PowerTrench㈢SyncFET⑩

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FDP7030BLS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：114 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP7030BLS 数据手册

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May 2001  
FDP7030BLS / FDB7030BLS  
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET  
and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
·
56 A, 30 V.  
RDS(ON) = 10.5 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 16.5 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Includes SyncFET Schottky body diode  
Low gate charge (15nC typical)  
RDS(ON)  
and low gate charge.  
The FDP7030BLS  
includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDP7030BLS as the low-side switch in  
a
synchronous rectifier is indistinguishable from the  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) and fast switching  
performance of the FDP7030BL in parallel with  
Schottky diode.  
a
·
High power and current handling capability  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
D
FDP Series  
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
56  
Drain Current – Continuous  
(Note 1)  
(Note 1)  
A
– Pulsed  
160  
65  
PD  
W
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
W/°C  
°C  
0.43  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–65 to +100  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
°C  
275  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.3  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDB7030BLS  
FDP7030BLS  
Device  
Reel Size  
Tape width  
24mm  
Quantity  
FDB7030BLS  
FDP7030BLS  
13’’  
800 units  
45  
Tube  
n/a  
FDP7030BLS Rev B(W)  
Ó 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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与FDP7030BLS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP7030BLS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7030BLSJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP7030BLSS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP7030L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP7030L_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDP7030LJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7030LS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7042L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP7042LJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP7045 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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