FDP603AL

更新时间： 2024-11-24 22:40:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP603AL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.9
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A
最大漏极电流 (ID)：	33 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDP603AL 数据手册

April 1998

FDP603AL / FDB603AL

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state

resistance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as DC/DC converters and high

efficiency switching circuits where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

33 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.022 W @ V_GS=10 V

R_DS(ON)= 0.036 W @ V_GS=4.5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDP603AL

FDB603AL

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1)

100

W/°C

°C

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.33

-65 to 175

275

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

R_q_JC

62.5

FDP603AL Rev.D

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP603ALJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP61N20	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
FDP61N20	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，61A，41mΩ，TO-220
FDP65N06	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel MOSFET
FDP65N06	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，65 A，16 mΩ，TO-22
FDP6644	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6644S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDP6644SJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP6644SS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP6670AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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