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FDP61N20

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 651K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FDP61N20 数据手册

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September 2005  
TM  
UniFET  
FDP61N20  
200V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
61A, 200V, R  
= 0.041Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 58 nC)  
Low C ( typical 80 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
z
ꢀ ꢁ  
z
z
{
G
TO-220  
FCP Series  
{
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP61N20  
Unit  
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
200  
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
61  
38.5  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
244  
30  
A
V
DM  
V
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1440  
61  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
41.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
- Derate above 25°C  
417  
3.3  
W
W/°C  
D
C
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.3  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
θJC  
θJA  
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP61N20 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDP61N20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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