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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 48 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP6035L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDP6035LS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP603AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDP603ALJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP61N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FDP61N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，61A，41mΩ，TO-220 |
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| FDP65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FDP65N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，65 A，16 mΩ，TO-22 |
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| FDP6644 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDP6644S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
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