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FDP6035AL-OLDDIE

更新时间： 2024-11-25 21:09:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDP6035AL-OLDDIE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FDP6035AL-OLDDIE 数据手册

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July 2003  
FDP6035AL/FDB6035AL  
N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET has been  
designed specifically to improve the overall efficiency of  
DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.  
·
·
·
·
48 A, 30 V  
RDS(ON) = 12 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 14 mW @ VGS = 4.5 V  
Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
175°C maximum junction temperature rating  
It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON)  
and fast switching speed.  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
48  
(Note 1)  
180  
PD  
52  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
0.3  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.9  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
24mm  
Quantity  
FDB6035AL  
FDB6035AL  
FDP6035AL  
13’’  
800 units  
45  
FDP6035AL  
Tube  
n/a  
FDP6035AL/FDB6035AL Rev D(W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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