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FDP6030BLS62Z

更新时间： 2024-11-21 20:03:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	381K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FDP6030BLS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDP6030BLS62Z 数据手册

July 2000

FDP6030BL/FDB6030BL

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers.

• 40 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.018 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.024 Ω @ V_GS= 4.5 V.

• Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate

charge than other MOSFETs with comparable R_DS(on)

specifications resulting in DC/DC power supply designs

with higher overall efficiency.

• Rugged internal source-drain diode can eliminate the

need for an external Zener diode transient suppressor.

• High performance trench technology for

extremely low R_DS(ON)

• 175°C maximum junction temperature rating.

TO-220

FDP Series

TO-263AB

FDB Series

T_C= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

FDP6030BL FDB6030BL

Symbol

V_DSS

Parameter

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

(Note 1)

I_D

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

120

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25 C

0.36

Derate above 25 C

W/ C

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

2.5

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDB6030BL

Device

Reel Size

13’’

Tape Width

24mm

Quantity

800

FDB6030BL

FDP6030BL

Tube

N/A

200 Fairchild Semiconductor International

FDP6030BL/FDB6030BL Rev.C

12 3 4 5 6 7...10

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FDP6030L_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
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FDP6035AL_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP6035AL-OLDDIE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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