FDP6030L

更新时间： 2024-11-24 22:40:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	477K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP6030L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	73 ns
最大开启时间（吨）：	225 ns	Base Number Matches：	1

FDP6030L 数据手册

April 1998

FDP6030L / FDB6030L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as DC/DC converters and

high efficiency switching circuits where fast switching, low

in-line power loss, and resistance to transients are needed.

52 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.0135 W @ V_GS=10 V

R_DS(ON)= 0.020 W @ V_GS=4.5 V.

Improved replacement for NDP6030L/NDB6030L.

Low gate charge (typical 34 nC).

Low Crss (typical 175 pF).

Fast switching speed.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise note

Symbol Parameter

FDP6030L

FDB6030L

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

156

W/°C

°C

P_D

Maximum Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.5

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 175

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

R_q_JC

R_qJA

62.5

FDP6030L Rev.C1

12 3 4

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FDP6030L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDP8880	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6030L_NL	FAIRCHILD	功能相似	暂无描述
ISL9N310AP3	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

与FDP6030L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDP6030L_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDP6035AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDP6035AL_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP6035AL-OLDDIE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDP6035ALS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP6035L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP6035LS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP603AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP603ALJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP61N20	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET

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