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FDP6030L_NL

更新时间： 2024-11-21 13:07:47
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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July 2000  
FDP6030BL/FDB6030BL  
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 40 A, 30 V. RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
These MOSFETs feature faster switching and lower gate  
charge than other MOSFETs with comparable RDS(on)  
specifications resulting in DC/DC power supply designs  
with higher overall efficiency.  
• Rugged internal source-drain diode can eliminate the  
need for an external Zener diode transient suppressor.  
• High performance trench technology for  
extremely low RDS(ON)  
.
• 175°C maximum junction temperature rating.  
D
D
G
G
G
TO-220  
FDP Series  
D
S
TO-263AB  
FDB Series  
S
S
TC = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
FDP6030BL FDB6030BL  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
±
VGSS  
20  
(Note 1)  
ID  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
40  
120  
°
PD  
60  
W
Total Power Dissipation @ TC = 25 C  
°
°
0.36  
Derate above 25 C  
W/ C  
°
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-65 to +175  
C
Thermal Characteristics  
°
θ
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.5  
C/W  
JC  
°
θ
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
C/W  
JA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDB6030BL  
Device  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
24mm  
Quantity  
800  
FDB6030BL  
FDP6030BL  
FDP6030BL  
Tube  
N/A  
45  
200 Fairchild Semiconductor International  
FDP6030BL/FDB6030BL Rev.C  
1234567...10

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FDP6030L_NL 替代型号

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