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FDP6021P

更新时间： 2024-11-20 22:40:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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FDP6021P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP6021P 数据手册

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April 2001  
PRELIMINARY  
FDP6021P/FDB6021P  
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low  
voltage PowerTrench process. It has been optimized for  
power management applications.  
• –28 A, –20 V. RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 2.5 V  
DS(ON) = 65 mΩ @ VGS = 1.8 V  
R
Applications  
• Critical DC electrical parameters specified at  
• Battery management  
• Load switch  
elevated temperature  
• High performance trench technology for extremely  
• Voltage regulator  
low RDS(ON)  
• 175°C maximum junction temperature rating  
.
S
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 8  
–28  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
–80  
PD  
37  
W
W°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
0.25  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
4
°C/W  
°C/W  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDP6021P  
Device  
Reel Size  
Tube  
Tape width  
n/a  
24mm  
Quantity  
45  
800 units  
FDP6021P  
FDB6021P  
FDB6021P  
13”  
FDP6021P/FDB6021P Rev B(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP6021PS62Z FAIRCHILD

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