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FDP5N50U

更新时间： 2024-11-21 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 224K
描述
N-Channel MOSFET, FRFET

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FDP5N50U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：216 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：85 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP5N50U 数据手册

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November2009  
TM  
Ultra FRFET  
FDP5N50U / FDPF5N50UT  
tm  
N-Channel MOSFET, FRFET  
500V, 4A, 2.0  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 1.65( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A  
Low gate charge ( Typ. 11nC)  
Low Crss ( Typ. 5pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DOMS technology.  
This advance technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutationmode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor cor-  
rection.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G D S  
(potted)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP5N50U FDPF5N50UT Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
4
4*  
ID  
Drain Current  
A
2.4  
16  
2.4*  
16*  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
216  
4
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
8.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
85  
28  
PD  
Power Dissipation  
0.67  
0.22  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP5N50U FDPF5N50UT  
Units  
RJC  
RCS  
RJA  
1.4  
0.5  
4.5  
-
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP5N50U / FDPF5N50UT Rev. A-1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP5N50U_12 FAIRCHILD

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 		暂无描述

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