5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDP55N06
FDP55N06 PDF预览

FDP55N06

更新时间： 2024-11-22 11:15:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 445K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，55 A，22mΩ，TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDP55N06 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.94
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP55N06 数据手册

 浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP55N06的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
D
MOSFET – N-Channel,  
UniFETt  
60ꢀV, 55 A, 22 mW  
G
FDP55N06 / FDPF55N06  
S
Description  
UniFET MOSFET is onsemi's high voltage MOSFET family based  
on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to  
reduce on−state resistance, and to provide better switching  
performance and higher avalanche energy strength. This device family  
is suitable for switching power converter applications such as power  
factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and  
electronic lamp ballasts.  
G
D
G
S
D
S
TO−220 Fullpack, 3−Lead  
/ TO−220F−3SG  
TO−220−3LD  
CASE 340AT  
CASE 221AT  
Features  
• R  
= 22 mW (Typ.) @ V = 10 V, I = 27.5 A  
GS D  
• Low Gate Charge (Typ. 30 nC)  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
• Low C (Typ. 60 pF)  
• 100% Avalanche Tested  
rss  
&Z&3&K  
FDPF  
&Z&3&K  
FDP  
55N06  
55N06  
FDP55N06,  
FDPF55N06 = Specific Device Code  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Location  
= Date Code (Year and Week)  
= Lot Code  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
FDP55N06  
TO−220  
50 Units / Tube  
TO−220F  
FDPF55N06  
50 Units / Tube  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
July, 2023 − Rev. 3  
FDPF55N06/D  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与FDP55N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP5645 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP5645S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP5680 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDP5680S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP5690 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDP5690S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP5800 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP5800 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V，80A，6mΩ
FDP5N50 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ
FDP5N50_07 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET

与FDP55N06相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证