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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP5690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDP5690S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP5800 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| FDP5800 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V，80A，6mΩ |
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| FDP5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
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| FDP5N50_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDP5N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ |
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| FDP5N50F_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55Ω |
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| FDP5N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP5N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4.5 A，1.5 Ω， |
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