5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDP5645
FDP5645 PDF预览

FDP5645

更新时间： 2024-11-24 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 423K
描述
60V N-Channel PowerTrench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDP5645 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：83 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP5645 数据手册

 浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDP5645的Datasheet PDF文件第7页 
March 2000  
FDP5645/FDB5645  
60V N-Channel PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
· 80 A, 60 V.  
RDS(ON) = 0.0095 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.011 W @ VGS = 6 V.  
· Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature.  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
· Rugged internal source-drain diode can eliminate the  
need for an external Zener diode transient  
suppressor.  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
· 175°C maximum junction temperature rating.  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA =25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP5645  
FDB5645  
Units  
Drain-Source Voltage  
60  
±20  
80  
300  
125  
0.83  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
ID  
Maximum Drain Current  
– Continuous (note 3)  
– Pulsed  
PD  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Maximum lead termperature for soldering purposes,  
1/8“ from case for 5 seconds  
TJ, TSTG  
TL  
-65 to +175  
+275  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJC  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.2  
62.5  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDB5645  
Device  
Reel Size  
13”  
Tape width  
Quantity  
800 units  
FDB5645  
FDP5645  
24mm  
note 2  
FDP5645  
Ó 2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP5645/FDB5645 Rev B (W)  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

FDP5645 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FDP5645相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP5645S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 60V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDP5680 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDP5680S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDP5690 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDP5690S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP5800 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP5800 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V，80A，6mΩ
FDP5N50 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ
FDP5N50_07 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET
FDP5N50F FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ

与FDP5645相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证