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FDP52N20

更新时间： 2024-11-06 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 1179K
描述
N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ

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FDP52N20 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.88
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED雪崩能效等级（Eas）：2520 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：208 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP52N20 数据手册

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October 2007  
TM  
UniFET  
FDP52N20 / FDPF52N20T  
tm  
N-Channel MOSFET  
200V, 52A, 0.049Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.041Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A  
Low gate charge ( Typ. 49nC)  
Low Crss ( Typ. 66pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improve dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220  
FDP Series  
TO-220F  
FDPF Series  
G
S
D
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP52N20  
FDPF52N20T Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
200  
V
V
±30  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- P uls ed  
52  
33  
52*  
33*  
ID  
D r a in C u r r e n t  
A
IDM  
D rai n Cur rent  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
208  
208*  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2520  
52  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
35.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
357  
38.5  
0.3  
PD  
Power Dissipation  
2.86  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP52N20  
0.35  
FDPF52N20T Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
3.3  
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.5  
-
oC/W  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP52N20 / FDPF52N20T Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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