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FDP52N20

更新时间： 2024-09-17 11:14:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 404K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，52A，49mΩ，TO-220

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FDP52N20 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.95
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED雪崩能效等级（Eas）：2520 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：208 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP52N20 数据手册

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FDP52N20  
N‐Channel UniFET MOSFET  
200 V, 52 A, 49 mW  
Description  
UniFET MOSFET is ON Semiconductor’s high voltage MOSFET  
family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET  
is tailored to reduce on−state resistance, and to provide better  
switching performance and higher avalanche energy strength. This  
device family is suitable for switching power converter applications  
such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV  
power, ATX and electronic lamp ballasts.  
www.onsemi.com  
Features  
G
D
• R  
= 41 mW (Typ.) @ V = 10 V, I = 26 A  
GS D  
S
DS(on)  
TO−220  
CASE 340AT  
• Low Gate Charge (Typ. 49 nC)  
• Low C (Typ. 66 pF)  
RSS  
• 100% Avalanche Tested  
D
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
Applications  
• PDP TV  
G
• Lighting  
• Uninterruptible Power Supply  
• AC−DC Power Supply  
S
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
March, 2018 − Rev. 3  
FDP52N20/D  
1234567...9

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