5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP44N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FDP46N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FDP4D5N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, |
|
| FDP4N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ω |
|
| FDP51N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FDP51N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，51A，60mΩ，TO-220 |
|
| FDP51N25_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FDP52N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ |
|
| FDP52N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，52A，49mΩ，TO-220 |
|
| FDP5500 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7mÎ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
