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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 2055 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 44 A | 最大漏极电流 (ID)： | 44 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.069 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 307 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 176 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP46N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FDP4D5N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, |
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| FDP4N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ω |
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| FDP51N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDP51N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，51A，60mΩ，TO-220 |
|
| FDP51N25_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FDP52N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ |
|
| FDP52N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，52A，49mΩ，TO-220 |
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| FDP5500 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 80A, 7mÎ |
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| FDP5500_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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