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FDP4030L

更新时间： 2024-09-15 21:55:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 99K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDP4030L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDP4030L 数据手册

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March 1998  
FDP4030L / FDB4030L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as DC/DC converters and  
other battery powered circuits where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are  
needed.  
20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS=10 V  
RDS(ON) = 0.055 W @ VGS=4.5V.  
Critical DC electrical parameters specified at elevated  
temperature.  
Rugged internal source-drain diode can eliminate the  
need for an external Zener diode transient suppressor.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
175°C maximum junction temperature rating.  
_______________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDP4030L  
FDB4030L  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
±20  
V
(Note 1)  
(Note 1)  
20  
A
60  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
37.5  
0.25  
-65 to 175  
275  
W
W/°C  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJC  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
4
°C/W  
°C/W  
62.5  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP4030L Rev.B1  
12345

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FDP4030L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQP33N10 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，33 A，52 mΩ，TO-220
FQP17P06 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-17 A，120 mΩ，TO-22
STD86N3LH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET

与FDP4030L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDP4030LJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDP40G ADAM-TECH

获取价格

 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP40G30 ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Black Insulato
FDP40GGY ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP40T ADAM-TECH

获取价格

 		IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP40T30 ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, IDC Terminal, Plug
FDP40TGY ADAM-TECH

获取价格

 		DIP Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, 0.1 inch Pitch, IDC Terminal, Gray Insulator
FDP42AN15A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP42AN15A0 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，42mΩ
FDP42AN15A0_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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