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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDP42AN15A0_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDP44N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDP46N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FDP4D5N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, |
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| FDP4N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ω |
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| FDP51N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDP51N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，51A，60mΩ，TO-220 |
|
| FDP51N25_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FDP52N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049ヘ |
|
| FDP52N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，52A，49mΩ，TO-220 |
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