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FDP3672

更新时间： 2024-09-14 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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10页	232K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз

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FDP3672 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4
雪崩能效等级（Eas）：	48 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	105 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.9 A	最大漏极电流 (ID)：	5.9 A
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

FDP3672 数据手册

September 2003

FDP3672

N-Channel PowerTrench^®MOSFET

105V, 41A, 33mΩ

Features

Applications

•

r_DS(ON)= 25mΩ (Typ.), V_GS= 10V, I_D= 41A

Q_g(tot) = 28nC (Typ.), V_GS= 10V

Low Miller Charge

•

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier

Direct Injection / Diesel Injection Systems

42V Automotive Load Control

Low Q_RRBody Diode

Optimized efficiency at high frequencies

UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Qualified to AEC Q101

Electronic Valve Train Systems

Formerly developmental type 82760

DRAIN

(FLANGE)

SOURCE

DRAIN

GATE

TO-220AB

FDP SERIES

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GS

Parameter

Ratings

105

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

±20

Continuous (T_C= 25^oC, V_GS= 10V)

Continuous (T_C= 100^oC, V_GS= 10V)

Continuous (T_amb= 25^oC, V_GS= 10V, R_θJA= 62^oC/W)

Pulsed

I_D

5.9

Figure 4

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)

Power dissipation

Derate above 25^oC

W/^oC

^oC

135

P_D

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Temperature

-55 to 175

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance Junction to Case TO-220

Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 (Note 2)

1.11

^oC/W

This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a

copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/

Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.

All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems

certification.

FDP3672 Rev. A3

12 3 4 5 6 7...10

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