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FDP39N20

更新时间： 2024-09-14 22:13:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 901K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FDP39N20 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.46
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：860 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：39 A
最大漏极电流 (ID)：39 A最大漏源导通电阻：0.066 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：251 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：156 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDP39N20 数据手册

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TM  
UniFET  
FDP39N20  
200V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
39A, 300V, RDS(on) = 0.066Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 38 nC)  
Low Crss ( typical 57 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
FQP Series  
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP39N20  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
200  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
39  
23.4  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
156  
±30  
860  
39  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
25.1  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
251  
2.0  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.50  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
--  
0.5  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP39N20 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDP39N20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SSP45N20B_FP001 FAIRCHILD

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