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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 391K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.75 | Samacsys Description： | STMicroelectronics STP30NF20 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-220 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQP32N20C | FAIRCHILD |
功能相似  |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQP34N20 | FAIRCHILD |
功能相似 |
200V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP30NM30N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 300V - 0.078ヘ - 30A - TO-220 Ultra |
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| STP30NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
27A, 500V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| STP30NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Powe |
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| STP30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STP30NS15LFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH |
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| STP310N10F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET |
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| STP315N10F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MO |
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| STP31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STP-32AMP4 | POWERVOLT |
获取价格 |
The Power Supply for Stepping Motors |
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| STP32N05L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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