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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
22页 | 1424K | |
描述 | ||
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,TO-220封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 2.28 | 雪崩能效等级(Eas): | 510 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (ID): | 28 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V | |
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STI32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP34NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow | |
STP34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T | |
STP-35AMP2.5 | POWERVOLT |
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The Power Supply for Stepping Motors | |
STP-35AMP5 | POWERVOLT |
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The Power Supply for Stepping Motors | |
STP35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STP35N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STP35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STP35N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V | |
STP35NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PA | |
STP36N05L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |