是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.27 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 240 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 21 A | 最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 144 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP36N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET,TO | |
STP36NE06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET | |
STP36NE06 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
STP36NE06FP | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET | |
STP36NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 36A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | |
STP36NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET | |
STP36NF06_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET | |
STP36NF06FP | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET | |
STP36NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STP38N06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENS |