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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 21页 | 1667K |  |
| 描述 | ||
| N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 2.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 660 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STP35N65M5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V |
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| STW35N65M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.085 Ω, 27 A, MDmesh⢠V |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP3HNK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET |
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| STP3LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP3N100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP3N100FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP3N100XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP3N150 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Powe |
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| STP3N50XI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL enhancement mode power mos transistor |
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| STP3N60FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR |
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| STP3N60XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po |
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