5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP3NA90FI
STP3NA90FI PDF预览

STP3NA90FI

更新时间： 2024-02-19 14:47:46
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 62K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

STP3NA90FI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：ISOWATT220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.7
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A
最大漏极电流 (ID)：1.9 A最大漏源导通电阻：5.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP3NA90FI 数据手册

 浏览型号STP3NA90FI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP3NA90FI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP3NA90FI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP3NA90FI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP3NA90FI的Datasheet PDF文件第6页 
STP3NA90  
STP3NA90FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 5.3 Ω  
5.3 Ω  
ID  
STP3NA90  
STP3NA90FI  
900 V  
900 V  
3 A  
1.9 A  
<
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 4.4 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-220  
ISOWATT220  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP3NA90  
STP3NA90FI  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-Source Voltage (Vgs = 0)  
Drain-Gate Voltage (Rgs = 20 KΩ)  
Gate-Source Voltage  
Drain-Current (continuous) at Tc = 25oC  
Drain-Current (continuous) at Tc = 100oC  
Drain-Current (Pulsed)  
900  
900  
± 30  
V
V
V
3
2
1.9  
1.2  
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
12  
100  
1.25  
-
12  
A
Total Dissipation at Tc = 25oC  
40  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.32  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max Operating Junction Temperature  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
March 1996  
123456

中文翻译

下载PDF

与STP3NA90FI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP3NB100 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB100FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP3NB60FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STP3NB80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 800V - 4.6ohm - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB80 SUNTAC

获取价格

 		POWER MOSFET
STP3NB80FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 800V - 4.6ohm - 2.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 4 ohm - 3.5 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NB90FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 900V - 4 ohm - 3.5 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP3NC50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 3ohm - 2.8A TO-220 PowerMesh

与STP3NA90FI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证