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STP3NC60

更新时间： 2024-11-25 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 110K
描述
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET

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STP3NC60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.63雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：3.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP3NC60 数据手册

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STP3NC60  
STP3NC60FP  
- 3A TO-220/TO-220FP  
N-CHANNEL 600V - 3.3  
Ω
PowerMesh II MOSFET  
TYPE  
STP3NC60  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
600 V  
600V  
<3.6 Ω  
<3.6 Ω  
3 A  
2 A  
STP3NC60FP  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 3.3 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220FP  
TO-220  
DESCRIPTION  
The PowerMESH II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY . The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP3NC60  
STP3NC60FP  
V
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
GS  
600  
600  
±30  
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3
1.9  
12  
3
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
1.9(*)  
12(*)  
40  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.64  
0.32  
W/°C  
V/ns  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3.5  
V
-
2000  
ISO  
T
stg  
–60 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
May 2000  
1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP3NC60FP STMICROELECTRONICS

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