是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.99 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 90 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFBG30 | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
IRFBG20PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
IRFBG30PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP3NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA | |
STP3NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA | |
STP3NK80Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/I | |
STP3NK80Z_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO-220/TO-220F | |
STP3NK90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/ | |
STP3NK90ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/ | |
STP4020PQFP | ETC |
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PC Card Support | |
STP40N03L-20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENS | |
STP40N05 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 | |
STP40N05FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |