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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP40NE03L-20
STP40NE03L-20 PDF预览

STP40NE03L-20

更新时间： 2024-09-12 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 104K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE” POWER MOSFET

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STP40NE03L-20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP40NE03L-20 数据手册

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STP40NE03L-20  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP40NE03L-20  
30 V  
<0.020 Ω  
40 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.014 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
LOW GATE CHARGE A 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
1
”
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMANCE VRMs  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
30  
30  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
± 15  
40  
V
A
ID  
28  
A
I
DM(• )  
160  
80  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
Derating Factor  
0.53  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tst g  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 40 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
October 1997  
12345678

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与STP40NE03L-20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP40NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP40NF03L_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.018ヘ - 40A - TO-220 STripFE
STP40NF10 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/
STP40NF10_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.025з - 50A TO-220 Low gate
STP40NF10L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A TO-220 LOW GA
STP40NF12 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE
STP40NF20 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO
STP40NS15 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH O
STP413D STANSON

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 		TO-251/TO-252
STP42N60M2-EP STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF

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