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STP40N65M2

更新时间： 2024-11-01 14:58:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
14页	440K
描述
N沟道650 V、0.087 Ohm典型值、32 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装

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STP40N65M2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	2.29	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STP40N65M2 数据手册

STI40N65M2, STP40N65M2

N-channel 650 V, 0.087 Ω typ., 32 A MDmesh™ M2

Power MOSFET in I²PAK and TO-220 packages

Datasheet - production data

Features

TAB

Order code

STI40N65M2

STP40N65M2

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

650 V

0.099 Ω

32 A

•

Extremely low gate charge

Excellent output capacitance (C_OSS) profile

100% avalanche tested

I²PAK

TO-220

Zener-protected

Applications

Figure 1: Internal schematic diagram

•

Switching applications

D(2, TAB)

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using MDmesh™ M2 technology.

Thanks to their strip layout and improved vertical

structure, the devices exhibit low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering them suitable for the most demanding

high efficiency converters.

G(1)

AM15572v1_tab

S(3)

Table 1: Device summary

Order code

STI40N65M2

STP40N65M2

Marking

Package

Packaging

I²PAK

40N65M2

Tube

TO-220

February 2015

DocID027478 Rev 1

1/14

www.st.com

This is information on a product in full production.

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