IRFBG20PBF

更新时间： 2024-11-01 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1090K
描述
Power MOSFET

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IRFBG20PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	54 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBG20PBF 数据手册

IRFBG20, SiHFBG20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

1000

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

4.9

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The TO-220 package is universially preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBG20PbF

SiHFBG20-E3

IRFBG20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBG20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

1000

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.86

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.43

200

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

5.4

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 193 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 60 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91123

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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IRFBG20PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP2NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA
STP3NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2

与IRFBG20PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBG20STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG22	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 1.2A I(D) \| TO-220AB
IRFBG22-011	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFBG30	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
IRFBG30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG30	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFBG30-001PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFBG30PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG32	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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