IRFBG20PBF

更新时间： 2024-11-26 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1090K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFBG20PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	54 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBG20PBF 数据手册

IRFBG20, SiHFBG20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

1000

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

4.9

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The TO-220 package is universially preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBG20PbF

SiHFBG20-E3

IRFBG20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBG20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

1000

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.86

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.43

200

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

5.4

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 193 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 60 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91123

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFBG20PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP2NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA
STP3NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2

与IRFBG20PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBG20STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG22	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 1.2A I(D) \| TO-220AB
IRFBG22-011	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFBG30	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
IRFBG30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG30	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFBG30-001PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFBG30PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG32	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFBG20PBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBG20PBF

IRFBG20PBF 技术参数

IRFBG20PBF 数据手册

IRFBG20PBF 替代型号

与IRFBG20PBF相关器件

与IRFBG20PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBG20PBF

IRFBG20PBF 技术参数

IRFBG20PBF 数据手册

IRFBG20PBF 替代型号

与IRFBG20PBF相关器件

与IRFBG20PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？