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IRFC024R

更新时间: 2024-11-05 20:13:15
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
15页 1474K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRFC024R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.38配置:Single
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YESBase Number Matches:1

IRFC024R 数据手册

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