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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBG22-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFBG30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) |
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| IRFBG30 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBG30 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFBG30-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 5.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFBG30PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBG32 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFBG32-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFBG32-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFBL10N60A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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