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IRFBL3703

更新时间： 2024-09-14 22:51:35

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英飞凌 - INFINEON		转换器
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8页	106K
描述
Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters

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IRFBL3703 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SUPER D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	260 A
最大漏源导通电阻：	0.0036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBL3703 数据手册

PD - 93841

SMPS MOSFET

IRFBL3703

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

30V

R_DS(on)max

I_D

260A

l Synchronous Rectification in High

0.0025Ω

Power High Frequency DC/DC Converters

Benefits

l >1mm lower profile than D²Pak

l Same footprint as D²Pak

l Low Gate Impedance to Reduce Switching

Losses

l Ultra Low On-Resistance

l Fully Avalanche Rated

Super-D²Pak^TM

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

260

180

1000

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

300

Power Dissipation

3.8

Linear Derating Factor

2.0

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

5.0

V/ns

°C

T_J,T_STG

-55 to + 175

Typical SMPS Topologies

l Forward and Bridge Converters with Synchronous Rectification for Telecom and

Industrial Applications

Notes through are on page 8

www.irf.com

4/5/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFC014R	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFC024	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFC024PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IRFC024R	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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IRFC044R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| CHIP
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