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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC150 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
|
| IRFC150 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFC150 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IRFC150R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC18N50KB | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRFC1Z0 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| IRFC1Z0R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC210 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFC210R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC214 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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