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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFC150R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC18N50KB | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRFC1Z0 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| IRFC1Z0R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC210 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFC210R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC214 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| IRFC214R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | CHIP |
|
| IRFC220 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IRFC220R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
|
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