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IRFC120

更新时间: 2024-11-06 17:38:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 296K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

IRFC120 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIE包装说明:UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.39配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:X-XUUC-NJESD-609代码:e0
元件数量:1工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFC120 数据手册

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